客戶咨詢熱線：
15270896115
日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S是一款專為精密薄膜制備設計的高性能實驗級設備，憑借日本shinkuu在真空鍍膜領域多年的技術積淀，該設備融合了先進的磁控濺射技術與人性化的操作設計，能夠為材料科學、電子工程、光學工程等領域的科研及小規(guī)模生產提供穩(wěn)定、高效的薄膜沉積解決方案，廣泛應用于高校實驗室、科研機構及高中端制造企業(yè)的研發(fā)環(huán)節(jié)。
真空系統(tǒng)：采用高效復合真空抽氣系統(tǒng)，包括機械泵與分子泵（或擴散泵），可快速實現(xiàn)真空腔體內真空度達到5×10?? Pa以下的高真空環(huán)境，有效減少氣體雜質對薄膜沉積的影響，保障薄膜純度。
靶材配置：支持多種靶材類型，包括金屬（如金、銀、銅、鋁、鈦等）、合金（如不銹鋼、鈦合金等）及部分陶瓷靶材，靶材尺寸適配φ50mm×3mm等常規(guī)規(guī)格，可根據(jù)實驗需求快速更換靶材，滿足不同薄膜材料的制備需求。
濺射功率：采用直流濺射電源，功率調節(jié)范圍為0-100W，支持連續(xù)可調，可根據(jù)靶材特性及薄膜厚度要求精準控制濺射速率，實現(xiàn)從納米級到微米級不同厚度薄膜的精確制備。
基底臺設計：配備可旋轉基底臺，旋轉速度0-10rpm可調，確保基底各區(qū)域薄膜沉積均勻性；基底臺支持室溫至300℃加熱功能（可選配），可滿足不同材料沉積過程中對基底溫度的特定要求，提升薄膜與基底的結合力。
腔體規(guī)格：真空腔體有效容積約3L，結構緊湊，便于維護與清潔；腔體內配備觀察窗，可實時觀察濺射過程，方便實驗人員監(jiān)控實驗進度。
控制方式：采用PLC控制系統(tǒng)，搭配7英寸觸控操作屏，界面簡潔直觀，可實現(xiàn)真空抽氣、濺射功率調節(jié)、基底旋轉及加熱等參數(shù)的一鍵式設置與實時監(jiān)控，同時支持實驗參數(shù)存儲與調用功能，便于重復實驗。
材料科學研究：用于制備金屬薄膜、合金薄膜、陶瓷薄膜等，研究薄膜的結構、成分與力學、電學、磁學等性能之間的關系，為新型材料研發(fā)提供基礎實驗支持。
電子器件制備：可用于制備電子器件中的電極薄膜、導電薄膜及絕緣薄膜，如半導體芯片中的金屬電極、柔性電子器件中的透明導電薄膜等，滿足電子器件微型化、高精度的制備要求。
光學薄膜制備：用于制備增透膜、反射膜、濾光膜等光學薄膜，應用于光學鏡頭、顯示器、太陽能電池等光學器件，提升器件的光學性能。
生物醫(yī)學領域：在醫(yī)用材料表面沉積抗菌薄膜、生物相容性薄膜等，改善醫(yī)用材料的表面性能，提升其生物安全性與使用壽命，如人工關節(jié)表面涂層、醫(yī)用導管表面改性等。
樣品表征輔助：為掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線光電子能譜（XPS）等表征設備制備樣品導電層，解決非導電樣品在表征過程中的電荷積累問題，提升表征結果的準確性。
高薄膜質量：先進的磁控濺射技術與高真空系統(tǒng)結合，確保制備的薄膜具有均勻性好、致密性高、純度高的特點，滿足高精度實驗與研發(fā)需求。
操作便捷性：觸控屏操作與PLC控制系統(tǒng)簡化了實驗流程，即使是新手操作人員也能快速上手，同時參數(shù)存儲功能提升了實驗的可重復性。
靈活適配性：支持多種靶材與基底類型，可搭配加熱、旋轉等可選功能，能夠根據(jù)不同實驗需求進行靈活配置，適配多場景應用。
緊湊耐用：設備結構緊湊，占用空間小，適合實驗室有限空間布局；核心部件采用高品質材料與精密加工工藝，使用壽命長，維護成本低。
安全可靠：配備真空度異常報警、過溫保護、過流保護等多重安全保護機制，確保實驗過程的安全性與設備的穩(wěn)定運行。
